二手中頻真空鍍膜設(shè)備潮州5成新二手鍍膜機回收包正常

　　磁控濺射設(shè)備是一種多功能、率的鍍膜設(shè)備?？梢栽谔沾?、玻璃、石英、硅片等基底材料上濺鍍金屬、非金屬、氧化物、介質(zhì)等材料的薄膜,如:Au、Al、NiCr、TiW、Si、Al2O3、Si3N4、ZnO、ITO等。濺鍍膜層均勻、致密、附著力強，可應(yīng)用到新型電子材料制備及光學(xué)、太陽能、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。

　　磁控濺射設(shè)備參數(shù)

　　艙體尺寸：1200×1500、1400×1950、1600×1950、1800×1950

　　電源類型：直流磁控電源、中頻磁控電源、高壓離子轟擊電源

　　圓柱靶：直流磁控靶、中頻孿生靶、平面靶

　　艙體結(jié)構(gòu)：立式開門

　　真空系統(tǒng)：滑閥泵 羅茨泵 擴散泵 維持泵（可選裝：分子泵、深冷泵）

　　氣路系統(tǒng)：1-4路MFC

　　限真空：6×10－4pa（空載）

　　抽氣時間：空載大氣抽至5×10－3pa小于13分鐘

　　旋轉(zhuǎn)方式：6軸、8軸、9軸公自轉(zhuǎn)，變頻無級調(diào)速

　　控制方式：全自動、觸摸屏 PLC

　　在磁控濺射鍍膜過程中，薄膜沉積速率由哪些因素決定

　　沉積速率是指從靶材上濺射出來的材料，在單位時間內(nèi)沉積到基片上的膜層厚度，該速率與濺射率成正比。有下列關(guān)系式：

　　qt=CIh

　　式中：

　　qt—表示沉積速率；

　　C—表征濺射裝置特性的常數(shù)；

　　I—表示離子流；

　　h—表示濺射速率。

　　由此式可見，當濺射裝置一定（即C為確定值，這個是濺射設(shè)備的固定參數(shù)，在設(shè)計之初，一般由靶基距等關(guān)鍵參數(shù)決定），又選定了工作氣體后，提高沉積速率的辦法是提高離子流。

　　磁控濺射法成膜速率正比于靶功率。決定沉積速率的因素有：刻蝕區(qū)的功率密度，刻蝕區(qū)面積，靶—基距，靶材，氣體壓強，氣體成分等。上面列出的幾個參數(shù)大致上是按重要性排列的，但其中有些參數(shù)之間有相互影響，如壓強、功率密度及刻蝕區(qū)面積等。此外靶的熱學(xué)性能與機械特性等也是限制濺射速率的因素。

　　磁控濺射技術(shù)作為物相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）方法之一，可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多種薄膜材料，具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點。目前，實驗室擁有雙靶、四靶磁控濺射，包含直流、射頻、脈沖磁控激發(fā)電源以及考夫曼離子濺射清洗源，可沉積類金剛石（DLC）薄膜、氮化物、碳化物硬質(zhì)薄膜以及氧化物半導(dǎo)體薄膜材料等，具有高沉積效率。

　　磁控濺射鍍膜機的工作原理

　　磁控濺射原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，終沉積在基片上。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內(nèi)壁及靶源陽也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽在同一電勢。磁場與電場的交互作用使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運動。至于靶面圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關(guān)系。在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離子源，等離子源等次原理下工作。所不同的是電場方向，電壓電流大小而已。

　　磁控濺射的基本原理是利用 Ar一02混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面，能量交換后，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉(zhuǎn)移到基體表面而成膜。

　　磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現(xiàn)大面積鍍膜。該技術(shù)可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。

　　磁控濺射鍍膜機特點：

　　設(shè)備特點：系統(tǒng)為多室臥式結(jié)構(gòu)的真空磁控濺射鍍膜裝置，主要用來在基片上設(shè)備能夠沉積金屬膜、氧化物、氮化物膜層或者氮氧化物薄膜。系統(tǒng)設(shè)計成6個腔體，腔體左側(cè)中采用矩形熱輻射加熱器處理加熱樣品表面，腔室中可放置4個矩形磁控靶，采用磁控靶在上，基片在下，向下濺射成膜方式。

　　我們公司產(chǎn)品與工藝相結(jié)合，依托完備的設(shè)計基礎(chǔ)和優(yōu)勢的工藝技術(shù)力量，公司在產(chǎn)品設(shè)備上，開發(fā)了相應(yīng)的工藝，達到工藝與設(shè)備的結(jié)合，讓用戶獲得更佳的效果及解決方案。