應用范圍：
一、玻璃：平板玻璃、浮法玻璃、玻璃制品（玻璃罐、玻璃瓶、玻璃管等）、光學玻璃、玻璃纖維、玻璃儀器、導電玻璃、玻璃布及防射線特種玻璃等的主要原料。
二、陶瓷及耐火材料：瓷器的胚料和釉料，窯爐用高硅磚、普通硅磚以及碳化硅等的原料。
三、建筑：混凝土、膠凝材料、筑路材料、人造大理石、水泥物理性能檢驗材料（即水泥標準砂）等
四、化工：硅化合物和水玻璃等的原料，硫酸塔的填充物，無定形二氧化硅微粉
五、機械：鑄造型砂的主要原料，研磨材料（噴砂、硬研磨紙、砂紙、砂布等）
六、電子：高純度金屬硅、通訊用光纖等
七、橡膠、塑料：填料（可提高耐磨性）
八、涂料：填料（可提高涂料的耐候性）。
九、冶金：硅金屬、硅鐵合金和硅鋁合金等的原料或添加劑、熔劑 。
十、航空、航天：其內在分子鏈結構、晶體形狀和晶格變化規(guī)律，使其具有的耐高溫、熱膨脹系數小、高度絕緣、耐腐蝕、壓電效應、諧振效應以及其特的光學特性。
常用包裝為25KG和50KG.

用途：制造玻璃，耐火材料(爐料），冶煉硅鐵，涂料，橡膠填料，冶金熔劑，陶瓷，研磨材料，金屬表面處理等方面，在建筑中利用其有很強的抗酸性介質浸蝕能力，制取耐酸混凝土及耐酸砂漿。

干法生產的石英粉分為普通石英粉、精制石英粉二種等級。因石英石礦料從山上開采下來的時候，本身帶有黃褐色的表皮。挑選出較小的石英石礦料直接破碎篩分的產品稱普通石英粉，表觀呈現黃褐色與白色相間，其優(yōu)點是價格便宜，缺點是雜質較多，故多用于建筑行業(yè).挑選出大的礦料，經過人工去除表面黃褐色外皮，再加工而成的就是精制石英粉了，其表觀呈現白色，亮晶晶，如同白砂糖一樣。因加工過程費時費料，故價位較高。
　　水法生產的石英粉分為普通石英粉和精制石英粉。把較小的石英石礦料加工成普通石英粉，把大的石英石礦料加工成精制石英粉。與干法石英粉相比，水法石英粉因在生產過程，較少產生設備鐵以及用水沖走雜質，如含鐵量及雜質都少于干法石英粉，但因其加工較為費工費料，故價位較高。
　　石英粉不分等級，只分規(guī)格。因其具備白度高，無雜質、鐵量低等特點，故應用范圍廣.

優(yōu)良的自然石英,經由過程怪異的低溫處置工藝加工而構成的粉末,重鈣粉使其份子布局分列由有序分列轉為無序分列.其色白,純度較高、活動機能好、并具備如下機能:
　　一、精良的光學性子:方石英的折射率從石英的1.55降低到1.48,更靠近PE、PP及一些樹脂的折射率.夾雜后的樹脂呈通明狀,不粉飾顏料自己的色采,而用別的填料添補則會使顏料的色采變淺、失真.
　　二、反射率:方石英的詳細布局有助光反射,可代替玻璃微珠作反光油漆,既可加強防滑性,又可進步油漆的反光性.
　　三、白度,低密度、光彩亮光:方石英的白度達95%以上,在涂料、油漆中使用,可代替部門鈦白粉,低落配方本錢.
　　四、抗腐化,耐刻畫、耐擦洗、耐磨機能好.
　　五、不含有機物凈化,金屬含量極低:可加強涂料的抗紫內線本領,并具備精良的絕緣性、精良的電磁輻射性和低的介電常數.
　　六、精良的抗熱震性.方石英受熱220m240℃左右時,產生必定水平的熱收縮,恰好抵償環(huán)氧樹脂、石膏等在此溫度下固化反響時的緊縮,使?jié)沧Ⅲw不變形.
　　七、極低的熱收縮系數、抗積淀性好、抗腐化性好.
　　利用行業(yè):電子質料、高功效環(huán)氧樹脂、緊密鍛造、電瓷、電子晶片打磨、拋光質料、珠寶行業(yè)、特種陶瓷質料、特種耐火質料、造紙、涂料油漆涂料、緊密模具、屏障質料行業(yè),日用化工,粘合劑,塑料,PTC質料、航空、航天、齒科質料和硅橡膠等中填料,各種產業(yè)庇護涂料、木器、粉末涂料、油墨及其余功效性利用

不規(guī)則狀石英粉用顯微鏡來看其實呈現多角型，是將石英粉直接研磨的結果；球狀石英粉是將不規(guī)則狀石英粉置于接近融點的高溫，讓原來存在不平整的邊邊角角融化，然后再降溫冷卻，就可以得到球狀石英粉。

微硅粉的生產方法主要有：
，三氯氫硅法將干燥的硅粉加入合成爐中，與通入的干燥氯化氫氣體在280～330℃有氯化亞銅催化劑存在下進行氯化反應，反應氣體經旋風分離除去雜質，再用氯化鈣冷凍鹽水將氣態(tài)三氯氫硅冷凝成液體，經粗餾塔蒸餾和冷凝，除去高沸物和低沸物，再經精餾塔蒸餾和冷凝，得到精制三氯氫硅液體。純度達到7個“9”以上、雜質含量小于1×10-7，硼要求在0.5×10-9以下。提純后的三氯氫硅送入不銹鋼制的還原爐內，用超純氫氣作還原劑，在1050～1100℃還原成硅，并以硅芯棒為載體，沉積而得多晶硅成品。
第二，用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合，加熱到1900℃左右進行還原。此方法制得的硅純度為97%～98%，被稱作金屬硅。再將金屬硅融化后進行重結晶，用酸除去雜質，得到純度為99.7%～99.8%的金屬硅。如要將它做成半導體用硅，還要將其轉化成易于提純的液體或氣體形式，再經蒸餾、分解過程得到多晶硅。如需得到高純度的硅，則需要進行進一步的提純處理。
第三， 用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合，用1000～3000kVA開式電弧爐，加熱到1900℃左右進行還原。