熱壓氮化硅陶瓷

氮化硅陶瓷隔熱罩<br>

以不同含量的YF3和MgO作為燒結(jié)助劑，對(duì)Si3N4進(jìn)行熱壓燒結(jié)， 研究了燒結(jié)助劑含量對(duì)氮化硅陶瓷的相對(duì)密度、燒結(jié)反應(yīng)、稀土 元素分布以及硬度、強(qiáng)度和斷裂韌性等力學(xué)性能的影響實(shí)驗(yàn)結(jié) 果表明，僅添加YF3的樣品生成了YSiON四元化合物，而同時(shí)添加 MgO的樣品生成MgYSiO 四元化合物；樣品的抗彎強(qiáng)度隨YF3和MgO 添加量的增加而增加，高可以達(dá)到959 MPa；而硬度則隨著YF3 的增加從20GPa降低；添加2%YF3(質(zhì)量分?jǐn)?shù))氮化硅陶瓷的斷裂韌<br>

氮化硅的硬度高，Hv=18GPa～21?Gpa，HRA=91～93，僅次于金剛石、立方BN、B4C等少數(shù)幾種超硬材料，摩擦系數(shù)小(O．1)，有自潤(rùn)滑性，與加油的金屬表面相似(0．1--0．2)通常在常壓下1900℃分解<br>
比熱容為0.71J/(g·K)，生成熱為-751.57kJ/mol<br>
氮化硅陶瓷表面經(jīng)拋光后，有金屬光澤<br>

納米氮化硅陶瓷表現(xiàn)出原始短裂紋擴(kuò)展特征,隨起始粉末中較粗的-Si3N4粉末含量的增加,納米氮化硅的抗熱震性能提高,即在納米尺度范圍內(nèi),較大晶粒的Si3N4陶瓷具有較高的抗熱震性 (2)Si3N4陶瓷的致密化程度影響其力學(xué)性能和抗熱震性能,組織中顯微孔洞的存在一定程度上有利于抗熱震性能的改善 (3)與常規(guī)氮化硅陶瓷相比,納米氮化硅陶瓷的抗熱震性略差<br>
熔點(diǎn)1900℃（加壓下）<br>

碳化硅材料具有良好的非線性導(dǎo)電特性，碳化硅的導(dǎo)電機(jī)理目前還沒有一個(gè)統(tǒng)一的看法，但是可以肯定的一點(diǎn)是：碳化硅的伏安特性的非線性是由顆粒間的接觸現(xiàn)象所引起的，其電阻可以隨電場(chǎng)的增加而自動(dòng)降低，從而達(dá)到自動(dòng)調(diào)節(jié)場(chǎng)強(qiáng)的目的，所以碳化硅是一種理想的防電暈材料<br>

研究說明了彈性模量與硬度在理論上不存在立的關(guān)系，它們的關(guān)系一定要隨材料的能量耗散能力而變?nèi)魏我环N材料的能量耗散能力可以很方便地通過材料的硬度和彈性模量來評(píng)價(jià)，同時(shí)對(duì)于已知能量耗散能力的材料，彈性模量可以從硬度值估測(cè)<br>
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