凸焊氮化硅定位銷燒結(jié)問題

<P>凸焊氮化硅定位銷概述<BR>本公司引進(jìn)高科技氮化硅陶瓷制造技術(shù)的基礎(chǔ)上按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)的凸焊氮化硅定位銷,以高純氮化硅粉為原料，利用干壓及等靜壓成型技術(shù)（得到理想的凸焊氮化硅定位銷坯體密度），經(jīng)1600℃以上高溫?zé)Y(jié)獲得高密度、高強(qiáng)度氮化硅陶瓷制品。可廣泛應(yīng)用于機(jī)械、冶金、化工、航空、半導(dǎo)體等工業(yè)上作為作某些設(shè)備或產(chǎn)品的零部件，取得了很好的預(yù)期效果。近年來(lái)，隨著制造工藝和測(cè)試分析技術(shù)的發(fā)展,凸焊氮化硅定位銷等氮化硅陶瓷制品的可靠性不斷提高，因此應(yīng)用面在不斷擴(kuò)大。</P>
<P><IMG src=""><BR>凸焊氮化硅定位銷特點(diǎn)<BR>1、工藝優(yōu)良:凸焊氮化硅定位銷采用高純氮化硅粉為原料，利用干壓及等靜壓成型技術(shù)，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)具有高強(qiáng)度，硬度，致密度。熱壓鑄工藝的缺點(diǎn):1. 氣孔率高、內(nèi)部缺陷相對(duì)較多、密度低,制品力學(xué)性能和性能穩(wěn)定 性相對(duì)較差。 2. 需要脫蠟環(huán)節(jié),增加了能源消耗和生產(chǎn)時(shí)間。因受脫蠟限制,難以制備厚 壁制品。 3. 不適合制備大尺寸陶瓷制品。 4. 難以制造高純度陶瓷制品,限制了該工藝在高 端技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用。
熱壓鑄工藝的應(yīng)用:主要用于生產(chǎn)中小尺寸和結(jié)構(gòu)復(fù)雜的結(jié)構(gòu)陶瓷、耐磨陶瓷、電子陶瓷、 絕緣陶瓷、紡織陶瓷、耐熱陶瓷、密封陶瓷、耐腐蝕陶瓷、耐熱震陶瓷制品。<BR>2、性能穩(wěn)定:凸焊氮化硅定位銷具有的耐磨，耐高溫，耐腐蝕性。熱壓燒結(jié)
熱壓燒結(jié)是在高壓下促進(jìn)坯體燒結(jié)的方法,也是一種使坯體的成型和燒成同時(shí)完成的新工藝。液壓設(shè)備采用液壓機(jī)和石墨模。石墨模可用感應(yīng)線圈或電阻加熱至所需溫度。熱壓成型可在燒結(jié)時(shí)施以壓力,以足夠的推動(dòng)力,促進(jìn)物質(zhì)擴(kuò)散排出氣體,降低制品的真氣孔率,達(dá)到理想的致密狀態(tài)。熱壓燒結(jié)有兩種明顯的傳質(zhì)過(guò)程,即晶界滑移和擠壓蠕變傳質(zhì)。這兩種傳質(zhì)過(guò)程在普通燒結(jié)過(guò)程中是基本不存在的新工藝。和普通燒結(jié)法相比,熱壓成型的特點(diǎn)有:
①可以顯著提高坯體的致密度,其密度值幾乎可以達(dá)到理論值;
②可顯著降低燒成溫度和縮短燒成時(shí)間,調(diào)節(jié)熱壓條件,能控制晶粒生成,以及在高溫下熱壓,有助于顆粒之間的接觸和擴(kuò)散,從而降低燒結(jié)溫度;③可以有效的控制坯體的顯微結(jié)構(gòu);
④可以降低坯體的成型壓力;
⑤可以生產(chǎn)尺寸比較、形狀比較復(fù)雜的產(chǎn)品。因?yàn)闊釅簳r(shí)坯料粉粒處于熱塑狀態(tài),在壓力下更易于填充模具;
⑥由于熱壓沒有必要添加燒結(jié)促進(jìn)劑與成型添加劑,所以熱壓燒結(jié)能得到高純度的陶瓷制品。熱壓燒結(jié)的缺點(diǎn)是設(shè)備和過(guò)程較為復(fù)雜,生產(chǎn)控制要求較嚴(yán),模具材料要求較高,電能消耗較大。熱壓成型法早應(yīng)用于粉末冶金工業(yè)。在硅酸鹽工業(yè)中,純氧化物制品,如氧化鎂、氧化鈹、氧化鈣、氧化鋁等制品。<BR>3、應(yīng)用廣泛：凸焊氮化硅定位銷可廣泛應(yīng)用于機(jī)械、冶金、化工、航空、半導(dǎo)體等工業(yè)上作為作某些設(shè)備或產(chǎn)品的零部件。常見氮化硅陶瓷粉料造粒工藝
在工程陶瓷的制備中，一般需要對(duì)原料粉體進(jìn)行處理，即通過(guò)“造?！?，使原料粉體的具有理想形狀、大小以及合理粒徑分布的粉料。氮化硅陶瓷的制備過(guò)程中有兩個(gè)關(guān)鍵因素：
a、為了氮化硅坯體的燒結(jié)活性，氮化硅粉體原料d50一般小于1微米，但過(guò)細(xì)粉體流動(dòng)性較差，影響陶瓷燒結(jié)產(chǎn)品的致密度及均勻性。
b、純氮化硅難以燒結(jié)致密，通常需要添加燒結(jié)助劑，常用的氮化硅燒結(jié)助劑有氧化鎂、 氧化鋁、氧化釔等，需根據(jù)不同的應(yīng)用需求選用。如何使燒結(jié)助劑均勻分散在氮化硅粉體中也是陶瓷制備工藝中需要解決的重要問題。
氮化硅造粒粉
如上以上兩個(gè)關(guān)鍵問題，都需要通過(guò)原料粉體的造粒處理得以解決。下文將為大家簡(jiǎn)單介紹一下常見的氮化硅陶瓷粉料的造粒工藝。
一、干壓造粒
指將粉料通過(guò)模具成型，然后破碎、球化的過(guò)程。干壓造粒工藝步驟為：預(yù)壓輸送—滾壓成型—破碎造粒。
干壓造粒具有造粒、生產(chǎn)成本低等優(yōu)點(diǎn)。特別地，與一些造粒方法，如噴霧造粒相比，干壓造粒所需粘結(jié)劑含量非常低，這樣可以減少因?yàn)檎辰Y(jié)劑導(dǎo)致的燒結(jié)密度低，氣孔多的問題。
二、冷等靜壓造粒
粉體經(jīng)過(guò)冷等靜壓工藝壓制成坯體，再通過(guò)破碎機(jī)破碎，過(guò)篩，完成造粒過(guò)程。冷等靜壓造粒與干壓造粒方法類似，同樣是將粉體置于一定壓力下成型，再破碎球化的造粒方法，區(qū)別在于干壓成型放入特定模具后，再置于冷等靜壓設(shè)備中。
冷等靜壓利用了液體介質(zhì)不可壓縮的特點(diǎn)和均勻傳遞壓力的特點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)從各個(gè)方向?qū)υ嚇舆M(jìn)行均勻加壓，確保粉體各個(gè)方向所受到的壓強(qiáng)均勻且大小不變。
三、噴霧造粒
噴霧造粒是指將混合好的料漿直接噴霧到熱空氣中，快速干燥并得到形狀規(guī)則的球狀粉粒的造粒方法。
噴霧造粒粉體 電鏡圖
噴霧造粒具有干燥時(shí)間短，漿料霧化均勻，所得的粉料為球形度好，粒度分布均勻，流動(dòng)性好等優(yōu)點(diǎn)，目前已逐漸成為陶瓷粉料造粒的主要方法。對(duì)于氮化硅陶瓷粉體而言，噴霧干燥的造粒方式可以大大提高各組分在料漿中的均勻性。</P>
<P><IMG src=""><BR>我們的凸焊氮化硅定位銷產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)<BR>質(zhì)量穩(wěn)定：實(shí)行全過(guò)程質(zhì)量監(jiān)控，細(xì)致入微，檢測(cè)！<BR>價(jià)格合理：內(nèi)部成本控制，減少了開支，有利于客戶！<BR>交貨快捷：生產(chǎn)流水線，充足的備貨，縮短了交貨期！<BR>凸焊氮化硅定位銷實(shí)拍圖<BR>凸焊氮化硅定位銷選型手冊(cè)<BR>面對(duì)市場(chǎng)上各式各樣的陶瓷材料，比如氧化鋁陶瓷，氧化鋯陶瓷，氮化硅陶瓷，碳化硅陶瓷，氮化鋁陶瓷，氮化硼陶瓷等工業(yè)陶瓷。很多客戶會(huì)感到忙繞。目前市面上的陶瓷產(chǎn)品選型手冊(cè)和選型標(biāo)準(zhǔn)一般是按照材料的性能和應(yīng)用來(lái)分類。<BR>凸焊氮化硅定位銷低溫放電等離子燒結(jié)法制備 氮化硅陶瓷：

分別以MgO–Al2O3或MgO–AlPO4作為燒結(jié)助 劑，采用放電等離子體低溫快速燒結(jié)方法制備了主 相為α相的氮化硅 陶瓷材料。溫度對(duì)陶瓷樣品的相對(duì) 密度與力學(xué)性能的影響。

結(jié)論
當(dāng)采用4%(質(zhì)量分?jǐn)?shù)，下同)MgO-4%Al2O3燒結(jié)助劑時(shí)，1400℃燒結(jié)的陶瓷樣品的相對(duì)密度和彎曲強(qiáng)度達(dá)到高，分別為81%和182MPa，且隨燒結(jié)助劑中Al2O3含量的增加，樣品的相對(duì)密度和彎曲強(qiáng)度降低。 而當(dāng)采用4% MgO–16%AlPO4 燒結(jié)助劑時(shí)，1300℃燒結(jié)的陶瓷樣品的相對(duì)密度和彎曲強(qiáng)度分別達(dá)到96%和366.5MPa，且樣品的相對(duì)密度和彎曲強(qiáng)度隨燒結(jié)溫度的升高而增大。 表明MgO–AlPO4可以用作氮化硅低溫?zé)Y(jié)的一種有效燒結(jié)助劑，可降低陶瓷的燒結(jié)溫度和提高其力學(xué)強(qiáng)度。<BR>凸焊氮化硅定位銷?lSExv桏tPg檈(W瀃E?N剉擽(u?