焊接陶瓷工藝方法

<P>焊接陶瓷概述<BR>本公司引進(jìn)高科技氮化硅陶瓷制造技術(shù)的基礎(chǔ)上按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)的焊接陶瓷,以高純氮化硅粉為原料，利用干壓及等靜壓成型技術(shù)（得到理想的焊接陶瓷坯體密度），經(jīng)1600℃以上高溫?zé)Y(jié)獲得高密度、高強(qiáng)度氮化硅陶瓷制品?？蓮V泛應(yīng)用于機(jī)械、冶金、化工、航空、半導(dǎo)體等工業(yè)上作為作某些設(shè)備或產(chǎn)品的零部件，取得了很好的預(yù)期效果。近年來(lái)，隨著制造工藝和測(cè)試分析技術(shù)的發(fā)展,焊接陶瓷等氮化硅陶瓷制品的可靠性不斷提高，因此應(yīng)用面在不斷擴(kuò)大。</P>
<P><IMG src=""><BR>焊接陶瓷特點(diǎn)<BR>1、工藝優(yōu)良:焊接陶瓷采用高純氮化硅粉為原料，利用干壓及等靜壓成型技術(shù)，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)具有高強(qiáng)度，硬度，致密度。工業(yè)陶瓷成型的不同方法
1、干壓成型：干壓成型技術(shù)的壓機(jī)有液壓式、機(jī)械式兩種，可呈半自動(dòng)或全自動(dòng)成型方式。壓機(jī)大壓力為200Mpa。產(chǎn)量每分鐘可達(dá)15～50件。由于液壓式壓機(jī)沖程壓力均勻，故在粉料充填有差異時(shí)壓制件高度不同。而機(jī)械式壓機(jī)施加壓力大小因粉體充填多少而變化，易導(dǎo)致燒結(jié)后尺寸收縮產(chǎn)生差異，影響產(chǎn)品質(zhì)量。因此干壓過(guò)程中粉體顆粒均勻分布對(duì)模具充填非常重要。
2、注漿成型法：注漿成型采用石膏模、成本低且易于成型大尺寸、外形復(fù)雜的部件。注漿成型的關(guān)鍵是料的制備。通常以水為熔劑介質(zhì)，再加入解膠劑與粘結(jié)劑，充分研磨之后排氣，然后倒注入石膏模內(nèi)。由于石膏模毛細(xì)管對(duì)水分的吸附，漿料遂固化在模內(nèi)?？招淖{時(shí)，在模壁吸附漿料達(dá)要求厚度時(shí)，還需將多余漿料倒出。為減少坯體收縮量、應(yīng)盡量使用高濃度漿料。
3、 燒制成型法： 將顆粒狀陶瓷坯體致密化并形成固體材料的技術(shù)方法叫燒結(jié)。燒結(jié)即將坯體內(nèi)顆粒間空洞排除，將少量氣體及雜質(zhì)有機(jī)物排除，使顆粒之間相互生長(zhǎng)結(jié)合，形成新的物質(zhì)的方法。<BR>2、性能穩(wěn)定:焊接陶瓷具有的耐磨，耐高溫，耐腐蝕性。常壓燒結(jié)法(PLS)
在提高燒結(jié)氮?dú)夥諌毫Ψ矫?利用氮化硅 分解溫度升高(通常在N2 = 1atm 氣壓下,從1800℃開始分解)的性質(zhì),在1700———1800℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)行常壓燒結(jié)后,再在1800———2000℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)行氣壓燒結(jié)。該法目的在于采用氣壓能促進(jìn)氮化硅 陶瓷組織致密化,從而提高陶瓷的強(qiáng)度.所得產(chǎn)品的性能比熱壓燒結(jié)略低。這種方法的缺點(diǎn)與熱壓燒結(jié)相似。
氣壓燒結(jié)法(GPS)
近幾年來(lái),人們對(duì)氣壓燒結(jié)進(jìn)行了大量的研究,獲得了很大的進(jìn)展。氣壓燒結(jié)氮化硅在1 ~10MPa氣壓下,2000℃左右溫度下進(jìn)行。高的氮?dú)鈮阂种屏说璧母邷胤纸?。由于采用高溫?zé)Y(jié),在添加較少燒結(jié)助劑情況下,也足以促進(jìn)氮化硅晶粒生長(zhǎng),而獲得密度> 99%的含有原位生長(zhǎng)的長(zhǎng)柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結(jié)無(wú)論在實(shí)驗(yàn)室還是在生產(chǎn)上都得到越來(lái)越大的重視. 氣壓燒結(jié)氮化硅陶瓷具有高韌性、高強(qiáng)度和好的耐磨性,可直接制取接近終形狀的各種復(fù)雜形狀制品,從而可大幅度降低生產(chǎn)成本和加工費(fèi)用. 而且其生產(chǎn)工藝接近于硬質(zhì)合金生產(chǎn)工藝,適用于大規(guī)模生產(chǎn)<BR>3、應(yīng)用廣泛：焊接陶瓷可廣泛應(yīng)用于機(jī)械、冶金、化工、航空、半導(dǎo)體等工業(yè)上作為作某些設(shè)備或產(chǎn)品的零部件。.氮化硅陶瓷的制造
氮化硅陶瓷制造工藝已經(jīng)經(jīng)歷了二十多年的發(fā)展史,使其質(zhì)量逐漸提高。而工藝流程基本未變,因?yàn)橐矊俚湫偷奶沾晒に?主要是在各個(gè)工藝環(huán)節(jié)上進(jìn)行了不斷的改進(jìn)。
(1)氮化硅陶瓷制備工藝的主要環(huán)節(jié)
制備氮化硅陶瓷制品的工藝流程一般由原料處理、粉體合成、粉料處理、成形、生坯處理、燒結(jié)、陶瓷體處理等環(huán)節(jié)組成。
(2)主要工藝類型和特點(diǎn)
從圖4—9中可知,由于幾個(gè)主要環(huán)節(jié)如合成、成形、燒結(jié)可以有多種方法進(jìn)行選擇,而且有的在次序上也不一定完全一致,因此具體的工藝流程有很多種。幾個(gè)主要工藝類型及特點(diǎn)詳見表4—2。
表4—2中的幾種工藝制得的氮化硅陶瓷制品不論是在顯微結(jié)構(gòu)上還是在性能方面都有較大的差別,在制造成本上差距也很大。因此,在實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)根據(jù)制品的用途和所需要達(dá)到的性能指標(biāo),以及價(jià)格等諸因素綜合考慮后進(jìn)行選擇。</P>
<P><IMG src=""><BR>我們的焊接陶瓷產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)<BR>質(zhì)量穩(wěn)定：實(shí)行全過(guò)程質(zhì)量監(jiān)控，細(xì)致入微，檢測(cè)！<BR>價(jià)格合理：內(nèi)部成本控制，減少了開支，有利于客戶！<BR>交貨快捷：生產(chǎn)流水線，充足的備貨，縮短了交貨期！<BR>焊接陶瓷實(shí)拍圖<BR>焊接陶瓷選型手冊(cè)<BR>面對(duì)市場(chǎng)上各式各樣的陶瓷材料，比如氧化鋁陶瓷，氧化鋯陶瓷，氮化硅陶瓷，碳化硅陶瓷，氮化鋁陶瓷，氮化硼陶瓷等工業(yè)陶瓷。很多客戶會(huì)感到忙繞。目前市面上的陶瓷產(chǎn)品選型手冊(cè)和選型標(biāo)準(zhǔn)一般是按照材料的性能和應(yīng)用來(lái)分類。<BR>焊接陶瓷低介電常數(shù)多孔氮化硅陶瓷材料的 制備:

采用有機(jī)泡沫前軀體浸漬工藝制備了低介電、低密度 的氮化硅陶瓷。以氮化硅粉體為主要原料, 制備粘度和流動(dòng) 性合適的水基料漿，并以軟質(zhì)聚氨酯泡沫塑料為載體，在 真空狀態(tài)下浸漬，然后在氧化氣氛下排塑，在氮?dú)鈿夥障?燒結(jié)，得到了低介電常數(shù)的多孔氮化硅陶瓷材料。所制備 的材料性能可達(dá)到：容積密度為0. 12g /cm3、介電常數(shù)為1. 15、介電損耗為4×10- 4。通過(guò)XRD, SEM 研究了試樣在熱 處理過(guò)程中的物理、化學(xué)變化，燒結(jié)體的物相組成及其顯 微結(jié)構(gòu)。

結(jié)論
利用有機(jī)物前軀體法制備出了低介電常數(shù)多孔 氮化硅材料，材料孔隙率可達(dá)到96. 3%，密度為0. 12g /cm3，介電常數(shù)可低至1. 15，介電損耗為

4×10- 4。隨料漿體積固相含量的提高， 材料氣孔率下降，介電常數(shù)升高。該工藝制備的低介電泡沫 陶瓷中氮化硅柱狀晶發(fā)育良好，不含其它晶相。<BR>焊接陶瓷氮化硅陶瓷在航天領(lǐng)域中的運(yùn)用：

航空制造是制造業(yè)中高新技術(shù)集中的領(lǐng)域，屬于制造技術(shù)，是新材料、新工藝和新技術(shù)的。以飛機(jī)的渦輪發(fā)動(dòng)機(jī)為例，闡述航空制造中氮化硅的應(yīng)用。
以飛機(jī)的渦輪噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)為例，壓氣機(jī)零部件溫度在650℃以下，目前主要采用鈦合金、鋁合金及耐熱鋼。燃燒室燃燒區(qū)溫度高達(dá)1800-2000℃，引入氣流冷卻后，燃燒室壁溫仍然在900℃以上，常用高溫合金（鎳基及鈷基合金）板材制造，為防止燃?xì)鉀_刷、熱腐蝕和隔熱，常噴涂防護(hù)層，現(xiàn)采用彌散強(qiáng)化合金無(wú)需涂層可制備耐1200℃的燃燒室。

機(jī)構(gòu)陶瓷氮化硅耐熱，可在1400℃時(shí)仍然有高的強(qiáng)度、剛度（但超過(guò)1200℃時(shí)力學(xué)強(qiáng)度會(huì)下降），但比較脆，使用連續(xù)纖維增強(qiáng)的增強(qiáng)陶瓷可應(yīng)用于渦輪部件，特別是小發(fā)動(dòng)機(jī)的陶瓷葉片，渦輪外環(huán)和空氣軸承。此外，氮化硅陶瓷比密度小，密度僅為鋼軸承的41%，可有效降低飛機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)重量，減低油耗。</P>
<P>焊接陶瓷訂購(gòu)注意事項(xiàng)<BR>1、此產(chǎn)品不支持網(wǎng)上訂購(gòu)，由于氮化硅陶瓷產(chǎn)品大多數(shù)屬于非標(biāo)定制件，如您需要訂購(gòu)焊接陶瓷產(chǎn)品請(qǐng)隨時(shí)致電聯(lián)系我們，我們一定會(huì)盡心盡力為您提供的服務(wù)。電話：&nbsp; <BR>2、①需要提供圖紙或者樣品。②需要告知訂購(gòu)數(shù)量③需要告知應(yīng)用場(chǎng)合及對(duì)產(chǎn)品的技術(shù)要求④使用溫度⑤使用介質(zhì)⑥其他要注意的事項(xiàng)。<BR>3、如有特殊要求時(shí)請(qǐng)?jiān)谟嗁?gòu)產(chǎn)品時(shí)注明。<BR>4、當(dāng)使用的場(chǎng)合非常重要或者環(huán)境比較復(fù)雜時(shí)，請(qǐng)盡量提供設(shè)計(jì)圖紙。</P>
<P>焊接陶瓷使用注意事項(xiàng)<BR>氮化硅陶瓷屬于硬脆材料，在材料的加工使用過(guò)程中應(yīng)注意：<BR>低介電常數(shù)多孔氮化硅陶瓷材料的 制備:

采用有機(jī)泡沫前軀體浸漬工藝制備了低介電、低密度 的氮化硅陶瓷。以氮化硅粉體為主要原料, 制備粘度和流動(dòng) 性合適的水基料漿，并以軟質(zhì)聚氨酯泡沫塑料為載體，在 真空狀態(tài)下浸漬，然后在氧化氣氛下排塑，在氮?dú)鈿夥障?燒結(jié)，得到了低介電常數(shù)的多孔氮化硅陶瓷材料。所制備 的材料性能可達(dá)到：容積密度為0. 12g /cm3、介電常數(shù)為1. 15、介電損耗為4×10- 4。通過(guò)XRD, SEM 研究了試樣在熱 處理過(guò)程中的物理、化學(xué)變化，燒結(jié)體的物相組成及其顯 微結(jié)構(gòu)。

結(jié)論
利用有機(jī)物前軀體法制備出了低介電常數(shù)多孔 氮化硅材料，材料孔隙率可達(dá)到96. 3%，密度為0. 12g /cm3，介電常數(shù)可低至1. 15，介電損耗為

4×10- 4。隨料漿體積固相含量的提高， 材料氣孔率下降，介電常數(shù)升高。該工藝制備的低介電泡沫 陶瓷中氮化硅柱狀晶發(fā)育良好，不含其它晶相。&nbsp;<BR></P>